![Analisis DC Penguat Transistor Bipolar Syamsul [PDF]](https://pdfs.asia/img/200x200/analisis-dc-penguat-transistor-bipolar-syamsul.jpg)
4 0 256 KB
Analisis DC Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap
Syamsul Alim Bahri Ita Purnamasari, Dewanthikumala, Rahmayuni dan Yuliastuti Fisika 2012 Abstrak Telah dilakukan praktikum dengan judul “Analisis DC Penguat Transistor Bipolar Satu tahap”. Penguat transistor bipolar satu tahap adalah suatu rangkaian yang hanya menggunakan satu transistor saja. Tujuan percobaan ini yaitu merancang sistem penguat transistor bipolar satu tahap dan untuk menentukan parameter-parameter dc sebuah sistem penguat transistor bipolar satu tahap dengan pengukuran langsung dan perhitungan secara teori. Prinsip dari teori ini adalah arus basis yang mengalir akan menentukan lebar lapisan deflesi yang akan menentukan besar hambatan pada rangkaian. Dalam percobaan ini terdapat tiga kegiatan yaitu 1. Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit), 2. Rangkaian Stabilisasi Emitter, dan 3. Rangkaian Pembagi Tegangan. Dimana dalam percobaan digunakan 1buah potensiometer yang juga berfungsi sebagai RB1 sebesar 100 k, RB2 = 4,7 kΩ, RC =2,2 kΩ, RE = 1 kΩ,VCC = 10 Vdc dan VCE = 5V, transistor NPN dan β = 60. Data yang diperoleh pada Rangkaian Bias Tetap, IB sebesar 25,80 μA, IC sebesar 2,17 mA, VB = 0,60 V, VC = 5,00 V. Rangkaian Stabilisasi emitor, IB sebesar 18,70 μA, IC sebesar 1,53 mA, IE sebesar 1,55 mA, VB 2,23 V, VC 6,63 V, VE sebesar 1,64 V. Rangkaian Pembagi Tegangan, I B sebesar 19,90 μA , IC sebesar 1,63 mA, IE sebesar 1,65 mA, VB sebesar 2,25 V, VC sebesar 6,62 V, VE sebesar 1,66 V. Kata kunci: Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit), Rangkaian Stabilisasi Emitter, Rangkaian Pembagi Tegangan, Arus Basis, Tegangan Basis, Arus Collector, Tegangan Collector, Arus Emitter, Tegangan Emitter dan Tegangan Collector-Emitter.
Logic). Contoh tipikal dari rangkaian
1. Metode Dasar Trioda semikonduktor atau transistor adalah
piranti
mempunyai
linear
adalah
Operasional
yang
Amplifier (Op-Amp). Sedangkan contoh
menguatkan.
digital dari rangkaian terpadu digital
semikonduktor
kemampuan
terpadu
Ada dua macam transistor sambungan
adalah gerbang-gerbang logika.
kutub (BJT, Bipolar Junction Transistor )
(Haris dkk, 2008 : 20). Dalam
dan transistor efek medan (FET, Field Effect Transistor) (Susanto,1994)
merupakan
elektronika, penerapan
penguat sifat-sifat
(Integrated
komponen elektronika yang paling utama.
Circuit – IC) adalah rangkaian kompleks
Tanpa penguatan sinyal-sinyal lemah
yang dibuat pada sebuah irisan kecil
tidak
silikon. Rangkaian terpadu dibagi menjadi
elektronika yang bermanfaat. Kebutuhan
dua kelas umum linear (analog) dan
penguatan
digital
dalam sinyal radio yang amat lemah agar
Rangkaian
(TTL
terpadu
–Transistor
–Transistor
mungkin pada
terbentuk mulanya
sistem diperlukan
dapat menggetarkan membran pengeras
memiliki dua komponen utama, yaitu :
suara (Bambang purwadi ,1994)
komponen dc dan komponen ac.
Transistor BJT terdiri dari dua semikonduktor
sambungan
yang
Pada unit ini akan dibahas analisis
dibentuk dalam satu kristal, engan jarak
dc sejumlah jaringan atau rangkaian dasar
antara kedua sambungan lebih lebar dari
penguat transistor konfigurasi common
difusi.
type
emitter dimana setiap jaringan sangat
semikonduktor yang berada di tengah,
menentukan stabilitas dari sistem penguat.
dimungkinkan adanya dua jenis tarsistor,
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
Tergantung
pn
(Tim Elektronika Dasar, 2014).
dari
yaitu transistor pnp dan transistor npn. Dengan
menyebut
umumnya
yang
transistor, dimaksud
pada adalah
Untuk
setiap
rangkaian
yang
berbeda yang akan dibahas, analisis konfigurasinya
selalu
mengacu
pada
transistor BJT. Huruf E, C dan B adalah
hubungan – hubungan dasar transistor
singkatan dari emitter (emiter) collector
bipolar, yaitu :
(kolektor) dan base (basis). Sambungan
VBE = 0.7 V.........(1)
antara
dinamakan
IE
= ( β + 1) IB = IC.........(2)
sambungan emiter (emitter junction, JE),
IC
= β IB...............(3)
sedang sambungan antara basis dan
Untuk 3 (tiga) rangkaian dasar
kolektor disebut sambungan kolektor
penguat transistor bipolar satu tahap yang
(collector junction, JC). Anak panah pada
akan diuji parameter – parameter dc-nya
emiter menunjukkan arah arus pada
dapat dilihat pada gambar berikut.
sambungan emiter untuk tegangan panjar
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
emiter
dan
basis
arah maju. Dasar kerja dari dua jenis transistor tersebut adalah serupa, hanya
1. Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit)
saja pembawa muatan minoritas dan mayoritasnya berbalikan, yaitu hole dan elktron. Yang juga berbalikan adalah polaritas
dari
tegangan
panjarnya
(Bambang purwadi, 1994 : 144). Analisis dan perancangan sebuah penguat membutuhkan
(amplifier) pemahaman
transistor mendasar
tentang respon dc dan respon ac dari sistem. Analisis dan perancangan berbagai jenis penguat elektronik dengan demikian
Gambar 1.1 Rangkaian Bias Tetap
VC = VCC – ICRC VB = VCC – IBRB Analisis
pada
rangkaian
ini
menghasilkan:
I B=
V CC −V BE RB
VE = IERE dengan IE = IC (Tim Elektronika Dasar, 2014) 3. Rangkaian Pembagi Tegangan
IC = β I B dan VCE = VCC - ICRC di mana VCE = VC dan VBE = VB (Tim Elektronika Dasar, 2014)
Gambar 1.3 Rangkaian PembagiTegangan Analisis
rangkaian
setaranya
menghasilkan :
ETH =V B =
R2 V R1 + R2 CC
dan
¿ RTH =R 1 {R ¿ 2 2. Rangkaian Stabilisasi Emitter
Dengan demikian, diperoleh :
I B=
ETH −V BE RTH +(β+1) R E
Selanjutnya, analisis untuk IC, IE, VC dan VE sama seperti rangkaian sebelumnya. (Tim Elektronika Dasar, 2014) Penentuan Titik Operasi Sinyal Gambar 1.2 Rangkaian Stabilisasi Emitter
keluaran
dari
sebuah
penguat, selain di harapkan menjadi lebih besar, juga mempunyai bentuk serupa
Penyelidikan rangkaian di atas akan
dengan masukannya. Untuk maksud ini
menghasilkan :
transistor harus dioperasikan padaa daerah
V CC −V BE I B= RB +(β +1) R E
yang paling linear yaitu daerah aktif. Titik operasi tidak lain adalah harga dari arus dan tegangan dari transistor sebelum
IC
= β IB
adanya sinyal masukan. Harga-harga ini
ditentukan oleh harga dari tahanan dan
d. Variabel
kontrol
:
Tegangan
sumber tegangan luar yang dipasang pada
Collector-Collector
(VCC)
dengan
rangkaian (Bambang purwadi, 1994 :
satuan Volt (V), Tegangan Collector-
Bambang purwadi, 1994 :157).
Emitter (VCE) dengan satuan Volt (V), Resistansi Collector (RC) dengan
2. Identifikasi Variabel
satuan kilo Ohm (kΩ), dan Resistansi
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap
Emitter (RE) dengan satuan kilo Ohm
(Fixed Bias Transistor) a. Variabel manipulasi
(kΩ).
:
Resistansi
Basis (RB) dengan satuan kilo Ohm (kΩ) b. Variabel respon :
Arus Basis (I B)
dengan satuan mikro Ampere (µA), Arus Collector (IC) dengan satuan milli Ampere (mA), Tegangan Basis (VB) dengan satuan Volt
(V) dan
Tegangan Collector (VC) dengan satuan Volt (V). c. Variabel kontrol
Kegiatan III : Rangkaian Pembagi Tegangan a. Variabel
manipulasi
Basis pertama
:
Resistansi
(RB )
dengan
1
satuan kilo Ohm (kΩ). b. Variabel respon : Arus Basis (I B) dengan satuan mikro Ampere (µA), Arus Collector (IC) dengan satuan
Tegangan
milli Ampere (mA), Arus Emitter (IE)
dengan
dengan satuan milli Ampere (mA),
satuan Volt (V), Tegangan Collector-
Tegangan Basis (VB) dengan satuan
Emitter (VCE) dengan satuan Volt (V),
Volt (V) dan Tegangan Collector (VC)
Collector-Collector
: (VCC)
dan Resistansi Collector (RC) dengan satuan kilo Ohm (kΩ). Kegiatan II : Rangkaian Stabilisasi Emitter a. Variabel
manipulasi
:
Resistansi
Basis (RB) dengan satuan kilo Ohm (kΩ) b. Variabel respon : Arus Basis (I B)
dengan satuan Volt (V). c. Variabel kontrol : Collector-Collector
Tegangan
(VCC)
dengan
satuan Volt (V), Tegangan CollectorEmitter (VCE) dengan satuan Volt (V), Resistansi
Basis
kedua ( RB )
dengan satuan kilo Ohm
2
(kΩ),
dengan satuan mikro Ampere (µA),
Resistansi Collector (RC) dengan
Arus Collector (IC) dengan satuan
satuan kilo Ohm (kΩ), dan Resistansi
milli Ampere (mA), Arus Emitter (IE)
Emitter (RE) dengan satuan kilo Ohm
dengan satuan milli Ampere (mA),
(kΩ).
Tegangan Basis (VB) dengan satuan Volt (V) dan Tegangan Collector (VC) dengan satuan Volt (V).
3. Defenisi Operasional Variabel
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed
i.
Bias Transistor) a. VCC
adalah
sumber
besarnya
yang
transistor
berada
deplesi. Satuan dari hambatan ini adalah kΩ. j.
pada
adalah
2
pada
hambatan kaki
basis
yang pada
kegiatan ketiga. Hambatan ini sendiri
tegangan ini adalah Volt. c. VB adalah beda potensial yang
dipasang parallel dengan
terukur pada kaki basis, dimana
RB , 1
sehingga dapat digantikan dengan
satuannya adalah Volt. d. VC adalah beda potensial yang
sebuah hambatan pengganti yang dianalisis dengan analisis Thevenin,
terukur pada kaki collector, dimana
f.
RB
dipasang
keadaan aktif. Satuan dari nilai
sehingga
satuannya adalah Volt. e. VE adalah beda potensial
dapat
basis dan mengontrol lebar lapisan
setengah dari nilai VCC. Nilai tersebut bahwa
yang
dimanipulasi untuk mengubah arus
merupakan
merupakan nilai yang menandakan
adalah hambatan
potensiometer
10 dengan satuan Volt. b. VCE adalah beda potensial antara kaki yang
1
Hambatan ini sendiri terdiri atas
pada
rangkaian ini, dimana nilainya adalah
collector-emiter
RB
atau
yang dipasang pada kaki basis.
tegangan
digunakan
RB
hambatan
pengantinya
yang
RB
terukur pada kaki emitor, yang
menjadi RTH. Nilai dari
satuannya adalah Volt. IB adalah arus yang mengalir pada
adalah 4.70 dengan satuannya adalah
basis, dimana arus ini yang akan menentukan
lebar
dari
kΩ. k. RC adalah hambatan yang terpasang
lapisan
pada
deplesi. Dimana satuannya adalah μA. g. IC adalah arus yang mengalir pada
2
kaki
collector.
Nilai
dari
hambatan ini sendiri adalah 2.20 , l.
dengan satuannya adalah kΩ. RE adalah hambatan yang terpasang
kaki collector dimana arus ini yang
pada kaki emitor sehingga arus pada
akan menjadi output dari rangkaian.
emitor tidak langsung digroundkan.
Satuan dari arus ini adalah mA. h. IE adalah arus yang mengalir pada
Nilai dari hambatan ini sendiri adalah
kaki emitor yang kemudian arus ini yang
akan
digunakan
bersama
1.00 dengan satuannya adalah kΩ.
4. Alat dan Bahan a. Power supply 10 Vdc
1 buah
rangkaian. Satuan dari arus ini adalah
b. Resistor
3 buah
mA.
c. Potensiometer
1 buah
d. Multimeter Digital
1 buah
sebagai
input
dan
output
dari
e. Transistor Bipolar NPN, 1 buah f.
Kit Penguat BJT 1 tahap 1 set
g. Kabel penghubung
4 buah
VC
VB
IB
IC
RB1
(V)
(V) 0.6
(µA)
(mA)
(kΩ)
5.00
0
25.80 2.17
368.20
5. Prosedur Kerja a. Menyusun rangkaian penguat BJT satu tahap sesuai dengan gambar berikut, di atas papan kit dengan spesifikasi
komponen
sebagai
berikut : VCC = 10.00 Volt ; RB = 100 kΩ ; dan RC = 2.20 kΩ
e. Melanjutkan membuat b. Mengukur tegangan collector-emiter (VCE),
dengan
potensiometer
(RB)
mengatur hingga
VCE
menunjukkan setengah dari nilai VCC
kegiatan
rangkaian
gambar berikut dengan
seperti langkah b dan c.
Mencatat hasil pengamatan pada tabel
membuat
kegiatan
rangkaian
seperti
seperti
RB
2
pada = 4.70
kΩ. Lalu mengulangi pengukuran
(kondisi transistor aktif). c. Mengukur nilai IB, IC, VB dan VC. pengamatan. d. Melanjutkan
dengan
dengan pada
gambar berikut, dengan RE = 1.00 kΩ. Lalu mengulangi pengukuran seperti pada langkah b dan c.
6. Analisis Data a. Tabel Pengamatan VCC = 10.00 V RC = 2.20 kΩ RE = 1.00 kΩ
RB = 100.00 kΩ 1
RB = 4.70 kΩ 2
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed
b. Analisis Perhitungan
Bias Circuit)
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed
VCE = 5.00 V
Bias Circuit)
Tabel 1. Hubungan antara Parameter-
1) Arus Basis (IB)
parameter DC Penguat Transistor Bipolar
Secara teori
Satu Tahap pada Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit) Kegiatan
II
:
Rangkaian
Stabilisasi
I B=
V CC −V BE RB
I B=
10.00 V −0.60 V 368.20 x 10³ Ω
I B=
9.40V 368.20 x 10³ Ω
Emitter VCE = 5.00 V Tabel 2. Hubungan antara Parameterparameter DC Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap pada Rangkaian Stabilisasi Emitter VC
VB
VE
IB
IC
IE
(V) 6.6
(V)
(V) 1.6
(µA)
(mA)
(mA) (kΩ)
18.70
1.53
1.55
:
Rangkaian
3
2.23
4
Kegiatan
III
I B=0.025 x 10−3 A=25.00 µA Secara praktikum IB = 25.80 µA
RB1
I´B=
I B (Teori )+ I B(Praktikum ) 2
25.00 µA +25.80 µA I´B= 2
421.00
Pembagi
I´B=37.90 µA
Tegangan
|
VCE = 5.00 V
%diff =
RTH = 3.58 kΩ R1 = 15.10 kΩ
|
I B (teori)−I B( praktikum) x 100 I´B
|
%diff =
R2 = RB2 = 4.70 kΩ Tabel 3. Hubungan antara Parameterparameter DC Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap pada Rangkaian Pembagi Tegangan VC (V)
VB (V)
VE (V)
IB (µA)
IC (mA)
IE (mA)
6.62
2.25
1.66 19.90
1.63
1.65
|
( 25.00−25.80 ) µA x 100 37.90 µA
µA x 100 |−0.80 37.90 µA |
%diff =
%diff =2.11
2) Arus Collector (IC) Secara teori
IC =
V CC −V CE RC
I B=
I B=0.016 x 10−3 A
10.00 V −5.00 V I B= 2.20 x 10³ Ω I B=
I B=16 .00 µA
5.00V 2.20 x 10³ Ω
Secara praktikum IB = 18.70 µA
16 .00 µA +18.70 μA I´B= 2
Secara praktikum IC = 2.17 mA
I C (Teori )+ I C (Praktikum)
I´B=17.35 µA
2
2.27 mA+ 2.17 mA I´C = 2
|
%diff =
|
I C(teori)−I C( praktikum) %diff = x 100 I´C
| |
|
( 2.27−2.17 ) mA %diff = x 100 2.22 mA
|
−0.10 mA %diff = x 100 2.22 mA %diff =4.50
Kegiatan
II
:
Rangkaian
|
%diff =
( 16 .00−18.70 ) µA x 100 17.35 µA
%diff =
−2.70 µA x 100 17.35 µA
|
%diff =15.60 2) Arus Collector (IC) Secara teori = β IB = 60 (18.70 µA) = 1122.00 µA = 1.12 mA Secara Praktikum
IC
Stabilisasi
Emitter
IC = 1.53 mA
I´C =
1) Arus Basis (IB) Secara teori
V CC −V BE I B= RB +( β +1) R E I B=
|
I B (teori)−I B( praktikum) x 100 I´B
| |
I´C =2.22 mA
|
I B (Teori )+ I B(Praktikum ) 2
I´B=
I B=2.27 x 10−3 A=2.27 mA
I´C =
7.77 V 482.00 x 10³ Ω
10.00V −2.23 V 421.00 x 10³ Ω+ ( 60+1 ) x 10³Ω
I C (Teori )+ I C (Praktikum) 2
1.12 mA +1.53 mA I´C = 2 I´C =1.33 mA
|
%diff =
2.29 volt +2.23 volt V´ B = 2
|
I C(teori)−I C( praktikum) x 100 I´C
| |
%diff =
|
( 1.12−1.53 ) mA x 100 1.33 mA
|
−0.41 mA %diff = x 100 1.33 mA
V´ B =2.26 volt
|
%diff =
|
V B(teori)−V B ( praktikum) x 100 V´ B
|
%diff =0.30 x 100
%diff =
%diff =30.00
%diff =2.65
3) Arus Emitter (IE) Secara teori IE = IC+ IB = 1.53 mA + 0.02 mA = 1.55 mA
5) Tegangan Collector (VC) Secara teori
Secara Praktikum
VC = VCE + VE
IE = 1.55 mA
I´E =
= 5.00 V + 1.64 V
I E (Teori) + I E (Praktikum) 2
1.55 mA +1.55 mA I´E = 2
= 6.64 V Secara praktikum VC = 6.63 V
V´ C =
I´E =1.55mA
|
%diff =
|
( 2.29−2.23 ) V x 100 2.26 volt
|
|
|
4) Tegangan Basis (VB)
|
|
V C (teori)−V C( praktikum) x 100 V´ C
|
%diff =
Secara teori VB = VBE - VE = 0.70 V + 1.59 V = 2.29 V Secara praktikum VB = 2.23 V
V´ B =
V´ C =6.63 V
%diff =
%diff =0.00
V B (Teori )+V B (Praktikum) 2
2
6.64 V +6,63 V V´ C = 2
I E (teori) −I E (praktikum ) x 100 I´E
( 1.58−1,58 ) mA %diff = x 100 1.58 mA
V C(Teori) +V C (Praktikum)
%diff =0.15 6) Tegangan Emitter (VE) Secara teori VE = IERE =1.55 mA (1x10³ Ω) = 1.55 V Secara Praktikum VE = 1.64 volt
|
( 6.64−6,63 ) V x 100 6.63 V
V´ E =
V E (Teori) +V E( Praktikum) 2
1.55V +1.64 V V´ E = 2
I B=
V TH −V BE RTH +(β+1) R E
I B=
2.37 V −0.70 V 3.58 x 10³ Ω+ ( 60+1 ) x 10³ Ω
I B=
1.67V 64.58 x 10³ Ω
V´ E =1.59 V
|
%diff =
|
V E (teori)−V E (praktikum ) x 100 V´ E
|
%diff =
−3
I B=0.026 x 10 A
|
I B=¿ 26.00 µA
( 1.55−1.64 ) V x 100 1.64 V
Secara praktikum IB = 19.90 µA
%diff =5.49
I´B= Kegiatan
III
:
Rangkaian
Pembagi
26.00 µA +19.90 μA I´B= 2
Tegangan
¿ RTH =R B {R ¿B 1
I´B=22.95 µA
2
1 1 1 = + R TH R B R B2
|
%diff =
1
RTH =
RB x RB
2
RB + RB
2
1
1
I B (Teori )+ I B(Praktikum ) 2
3
3
15.10 x 10 Ω x 4.70 x 10 Ω RTH = 15.10 x 103 Ω+ 4.70 x 103 Ω 3
|
I B (teori)−I B( praktikum) x 100 I´B
| |
( 26.00−19.90 ) µA x 100 22.95 µA
%diff =
6.10 µA x 100 22.95 µA
RTH =3.58 x 10 Ω RB2 V TH = V R B 1+ R B 2 CC
|
%diff =
|
%diff =26.68 2) Arus Collector (IC)
4.70 x 103 Ω Secara V TH = x 10.00 V teori 15.10 x 103 Ω+4.70 x 103 Ω 3
V TH =
4.70 x 10 Ω x 10.00V 19.80 x 103 Ω
V TH =2.37 V 1) Arus Basis (IB) Secara teori
IC = β I B = 60 (19.90 µA) =1194 µA = 1.19 mA Secara Praktikum IC = 1.63 mA
I´C =
I C (Teori )+ I C (Praktikum) 2
1.19 mA +1.63 mA I´C = 2
V´ B =
2.36 V +2.25 V V´ B = 2
I´C =1.41mA
|
%diff =
|
I C(teori)−I C( praktikum) x 100 I´C
|
%diff =
V B (Teori )+V B (Praktikum) 2
V´ B =2.30 V
|
( 1.19−1.63 ) mA x 100 1,41 mA
|
%diff =
|
V B(teori)−V B ( praktikum) x 100 V´ B
|
%diff =31.20
%diff =
3) Arus Emitter (IE)
|
( 2.36−2.25 ) V x 100 2.30 V
%diff =4.78
Secara teori IE = IC+ IB = 1.63 mA + 0,02 mA =1.65 mA
5) Tegangan Collector (VC) Secara teori
Secara Praktikum
VC = VCE + VE
IE = 1.65 mA
I´E =
I E (Teori) + I E (Praktikum) 2
1.65 mA +1.65 mA I´E = 2
= 5.00 V + 1.66 V = 6.66 V Secara praktikum VC = 6.62 V
V´ C =
I´E =1.65mA
|
6.66 V +6.62V V´ C = 2
|
I E (teori) −I E (praktikum ) %diff = x 100 I´E
|
|
( 1.65−1.65 ) mA %diff = x 100 1.64 mA %diff =0 4) Tegangan Basis (VB) Secara teori VB = VBE + VE = 0,70 V + 1.66 V = 2.36 V Secara praktikum VB = 2.25 V
V C(Teori) +V C (Praktikum) 2
V´ C =6.64 V
|
%diff =
|
V C (teori)−V C( praktikum) x 100 V´ C
|
%diff =
|
( 6.66−6.62 ) V x 100 6.41 V
%diff =0.62 6) Tegangan Emitter (VE) Secara teori VE = IERE =1.65 mA (1x10³ Ω) = 1.65 V
transistor
Secara Praktikum
perbandingan
VE = 1.66 volt
V´ E =
V E (Teori) +V E( Praktikum) 2
1.65V +1.66 V V´ E = 2
|
V E (teori)−V E (praktikum ) %diff = x 100 V´ E
|
arus
kolektor (IC) dengan arus basis (IB). Pada praktikum ini dilakukan tiga beda.
|
antara
kegiatan dengan rangkaian yang berbeda-
V´ E =1.65 V
%diff =
merupakan
Rangkaian
Rangkaian
Bias
Stabilisasi
emitter
Pembagi
|
( 1.65−1.66 ) V x 100 1.65 V
%diff =0.60
tersebut
adalah
Tetap,
Rangkaian
dan
Rangkaian
Tegangan.
Dimana
percobaan
digunakan
potensiometer
yang
juga
dalam 1buah
berfungsi
sebagai RB1 sebesar 100 k, RB2 = 4,7 kΩ, RC =2,2 kΩ, RE = 1 kΩ,VCC = 10 Vdc dan VCE = 5V, transistor NPN dan β = 60. Untuk kegiatan pertama yaitu rangkaian bias tetap digunakan dua resistor RB dan RC, nilai dari resistor
7. Pembahasan
masing-masing adalah RB = 100 KΩ dan
Pada praktikum ini telah dilakukan
RC = 2,2 kΩ, didapatkan nilai untuk IB dan
praktikum dengan judul “ Analisis DC
IC secara teori yaitu 25 A dan 2,27 mA.
Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap” Analisis
DC
penguat
Adapun secara praktikum nilai I B dan IC
Transistor
Bipolar satu tahap merupakan kegiatan untuk mengukur parameter-parameter DC dari suatu rangkaian Transistor BJT dimana pada praktikum ini transistor yang digunakan adalah jenis npn. Sedangkan disebut
satu
tahap
karena
jumlah
didapatkan 25,80 A dan 2,22 mA. untuk %diff pada arus basis yaitu 2,11 % dan untuk arus kolektor itu 4,50 %. Hasil praktikum yang didapatkan sudah cukup baik karena nilai %diff nya tidak begitu besar artinya nilai secara teori dan praktik
transistor yang digunakan pada rangkain
cukup mendekati. Untuk kegiatan
ini adalah satu buah. Nilai faktor
Stabilisasi emitor, nilai IB secara teori
penguatan dari transistor yang
adalah 16,00 μA dan secara praktikum
digunakan
ini
18,70 μA sehingga didapatkan derajat
sendiri adalah sebesar 60. Dilihat
kesalahan sebesar 15,60%. Untuk nilai IC
dari rumus penyusunnya, dapat
secara teori adalah 1,12 mA dan secara
dilihat bahwa factor penguatan
praktikum 1,53 mA sehingga didapatkan
pada
praktikum
kedua
Rangkaian
derajat kesalahan sebesar 30%. Untuk IE
; 6,66 V ; 1,65 V. Sedangkan secara
secara
secara
praktikum didapatkan nilai IB, IC, IE, VB,
praktikum 1,55 mA sehingga didapatkan
VC, VE berturut-turut yaitu 19,9 A ; 1,63
derajat kesalahan sebesar 0 %. Untuk nilai
mA ; 1,65 mA ; 2,25 V ; 6,62 V ; 1,66 V.
VB secara teori 2,29 V secara praktikum
Dan untuk nilai % diffnya didapatkan
2,23 V sehingga didapatkan derajat
26,68 % ; 31,20 % ; 0 % ; 4,78 % ; 0,62 %
kesalahan sebesar 2,65 %. Untuk VC
; 0,60 %. Dilihat dari % diffnya ada data
secara teori 6,64 V secara praktikum 6,63
yang % diffnya tinggi itu berarti nilai
V dan didapatkan derajat kesalahan sebesar 0,15%. Dan nilai VE secara teori
teorinya sedikit jauh dari nilai praktikum. Timbulnya penyimpangan dari hasil
adalah 1,55 V secara praktikum 1,64 V
percobaan terhadap nilai teori disebabkan
dan didapatkan derajat kesalahan sebesar
oleh human error, praktikan yang kurang
5,49 %. Untuk kegiatan ketiga yaitu rangkaian
jeli dalam mengamati alat ukur, serta
pembagi
mulai berkurang. Namun beberapa hasil
teori
1,55
tegangan
mA
dan
digunakan
empat
resistor masing-masing pasang seri pada
pengaruh kinerja alat ukur yang sudah percobaan telah mendekati hasil teori.
kaki transistor kecuali pada kaki basis yang dipasang paralel RB1=15,1 kΩ yang paralel dengan RB2=4,7 KΩ, sebelum malakukan analisis perhitungang baik untuk arus dan beda potensial terlebih dahulu
harus
ditentukan
8. Kesimpulan Adapun kesimpulan dari percobaan ini adalah: Rangkaian penguat
transistor
satu
rangkaian
tahap adalah rangkaian yang terdiri dari
pengganti untuk kegiatan ini dengan
satu penguat atau satu transistor saja,
menentukan
dan
transistor berfungsi sebagai pengauat
hambatan thevenin, setelah diketahui
ketika bekerja pada daerah aktif, kenapa
tegangan
tegangan
thevenin
thevenin
dan
hambatan
dikatakan
maka
dapat
dilakukan
transistor selalu mengalirkan arus dari
analisis untuk arus dan beda potensial.
collector ke emitter meski tedak dalam
Hambatan thevenin yang diperoleh adalah
proses penguatan hal ini ditunjukan untuk
3,58 KΩ dan tegangan thevenin yang
menghasilan sinyal keluaran yang tidak
diperoleh sebesar 2,37 volt. Pada kegiatan
cacat.
theveninnya
sebagai
pengauat
karena
ini dilakukan pengukuran terhadap I B, IC,
Parameter-perameter dc sistem penguat
IE, VB, VC, VE . secara teori didapatkan
transistor satu tahap untuk kegiatan
nilai IB, IC, IE, VB, VC, VE berturut-turut
pertama adalah arus basis (IB) dan arus
yaitu 26 A ; 1,19 mA ; 1,65 mA ; 2,36 V
collector
(IC), untuk kegiatan kedua
adalah arus basis (IB), arus collector (IC),
Purwadi
Bambang
,dkk.
1994.
arus emitter (IE), tegangan basis (VB),
Elektronika 1. Jakarta : Proyek
tegangan collector (VC), dan tegangan
Pendidikan Tenaga Akademik.
emitter (VE), sedangkan pada kegiatan ketiga sama dengan yang ada pada kegiatan
kedua
menentukannya
tetapi
sebelum
terlabih
dahulu
ditentukan hanbatan thevenin (RTH) dan tegangan thevenin (VTH).
Susanto. 1994. Rangkaian Elektronika (Analog). Makassar : UI Press. Tim Elektronika Dasar. 2013. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 1. Makassar: FMIPA UNM.
9. Daftar Pustaka Haris
dkk, Elektronika. Penerbit Makassar.
2008.
Dasar-Dasar
Makassar: Universitas
Badan Negeri
