Modul 3 Transistor [PDF]

Citation preview

KEGIATAN BELAJAR 3 I.



TUJUAN Setelah mempelajari modul ini, diharapkan peserta diklat akan mampu:



II.



A.



Menjelaskan konsep dasar transistor



B.



Menjelaskan karakteristik transistor



C.



Menjelaskan pembiasan transistor.



D.



Menjelaskan konfigurasi transistor



E.



Menjelaskan transistor sebagai penguat URAIAN MATERI



A. KONSEP DASAR TRANSISTOR 1.



KLASIFIKASI TRANSISTOR



Gambar 1. Klasifikasi Transistor



2.



PENGERTIAN TRANSISTOR BIPOLAR Transistor berasal dari kata Transfer



= perpindahan



Resistor



= perlawanan



Jadi dapat disimpulkan bahwa transistor berarti perpindahan atau perubahan perlawanan.Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 30



William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. Daerah n mempunyai banyak sekali elektron pita konduksi dan daerah p mempunyai banyak sekali hole. Arus yang mengalir berupa arus hole dan arus elektron atau berupa pembawa mayoritas dan minoritas. Oleh sebab itu disebut bipolar.



3.



FUNGSI TRANSISTOR a.



Penguat Arus



b.



Penguat tegangan



c.



Penguat daya



d.



Penyesuaian impedansi/menyempurnakan sinyal listrik



e.



saklar elektronik



f.



mengubah AC menjadi DC



4.



KEUNTUNGAN TRANSISTOR a.



tahan lama



b.



tidak memerlukan pemanasan sebelum bekerja



c.



dapat bekerja baik pada tegangan-tegangan rendah dan pemakaian arus kecil.



d.



memungkinkan membuat pesawat-pesawat yang kecil.



e.



tidak memakan tempat yang banyak dan tahan terhadap goncangan.



5.



TANDA DAN SKEMA TRANSISTOR Transistor dapat ditandai dengan huruf Q atau TR Skema transistor Jenis Transistor



Susunan Lapisan



Skema Pengganti



Simbol



NPN



PNP



Gambar 2. Konfigurasi Transistor



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 31



6.



DAERAH DOPING Contoh kristal NPN Emiter di dop sangat banyak untuk mengemisikan atau menginjeksikan elektron ke dalam basis. Basis di dop sangat sedikit dan sangat tipis, ia melewatkan sebagaian besar elektron yang diinjeksikan emiter ke dalamnya menuju kolektor. Banyaknya doping pada kolektor adalah diantara banyaknya doping pada emiter dan banyaknya doping pada basis. Kolektor merupakan yang terbesar dari ketiga daerah tersebut, ia harus menghamburkan lebih banyak panas dari pada emiter atau basis. Jadi dapat disimpulkan bahwa, fungsi kaki-kaki sebuah transistor adalah: a.



Basis, berfungsi sebagai pengatur atau mengemudikan gerakan-gerakan elektron dalam transistor.



b.



Emitor, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor.



c.



Colector, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari transistor.



7.



BIAS TRANSISTOR Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).



Gambar 3. Bias Transistor NPN



Dimana VBB, VCC, VEE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk ke titik base, kolektor dan emitor. Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 32



hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole.



Gambar 4. Bias Transistor PNP Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.



IC



: arus kolektor



VCC



: tegangan pada kolektor



IB



: arus base



VCE



: tegangan jepit kolektor-emitor



IE



: arus emitor



VEE



: tegangan pada emitor



VC



: tegangan kolektor



VBE



: tegangan jepit base-emitor



VB



: tegangan base



ICBO



: arus base-kolektor



VE



: tegangan emitor



VCB



: tegangan jepit kolektor-base



8.



ELKA-MR.UM.001.A



HUBUNGAN IC, IB, dan IE



Halaman 33



a. Hubungan IC dan IE dinyatakan dengan alpha dc, yaitu αdc = IC IE Makin tipis basis di dop, αdc makin besar. Jika semua elektron diinjeksikan ke kolektor maka αdc akan sama dengan 1. Kebanyakan transistor mempunyai αdc lebih dari 0,99 dan hampir semua mempunyai αdc lebih dari 0,95. dalam analisis pendahuluan kita dapat menganggap αdc = 1. b. Hubungan arus kolektor dengan arus basis dinyatakan dengan βdc βdc = IC IB hampir semua transistor, kurang dari 5% elektron yang diinjeksikan emitor ke basis berekombinasi dengan hole basis untuk mengahasilkan IB. Oleh sebab itu, βdc hampir semuanya selalu lebih dari 20. biasanya 50 sampai 200. beberapa transistor memepunayai βdc sampai 1000. βdc disebut juga penguatan arus dc dinyatakan dengan hFE. C



βdc = hFE



IC



Sesuai Hukum Arus Kirchhoff



IB B



IE = I C + I B Kedua ruas dibagi dengan IC Maka :



IE E



IE = IC + IB IC IC IC IE = 1 + IB IC IC 1 =1+ 1 . αdc βdc αdc = βdc atau βdc = αdc . βdc + 1 1 – αdc 9.



KURVA TRANSISTOR Untuk mendapatkan kurva transistor, dibuat rangkaian seperti gambar berikut:



Gambar 5. Rangkaian Untuk Mendapatkan Kurva Transistor



a.



Kurva Kolektor



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 34



Prosedurnya dengan menset IB dan menjaganya stabil sambil Vcc diubah. Dengan mengukur Ic dan VCE diperoleh data untuk membuat grafik Ic vs VCE. Jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse. Oleh karena itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Kira-kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah pencapaian level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan. Karena I C sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, maka βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE IC



Knee IB = 10 μA



1 mA



1V



VCE



Gambar 6. Kurva Arus Kolektor



b.



Kurva Basis Kita harus memperoleh data IB dan VBE. Untuk harga VBE yang sama, kurva dengan VCE yang lebih tinggi mempunyai arus basis yang lebih kecil karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole sehingga rekombinasi arus basis IB dikurangi. IB



0.7



VBE



Gambar 7. Kurva Arus Basis



c.



Kurva penguatan Arus Βdc suatu transistor merupakan besaran yang dapat berubah terhadap arus kolektor dan suhu.Pada suhu tetap, βdc bertambah sampai maksimum jika arus kolektor bertambah. Untuk pertambahan IC lebih lanjut, βdc menurun. Jika suhu naik, βdc bertambah pada IC tertentu. βdc T = 1500C T = -500C



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 35 IC



Gambar 8. Kurva Penguatan Arus



d.



Arus Cutoff dan tegangan break down Pada kurva adalah untuk IB = 0. pada kondisi ini, sama saja dengan membuka hubungan kawat basis. IC dengan kawat basis terbuka disingkat ICEO (kolektor, emiter, open basis). ICEO sebagian disebabkan oleh pembawa yang dihasilkan secara termal dan sebagian disebabkan oleh arus bocor permukaan. Dengan tegangan kolektor yang cukup besar, kita mencapai tegangan breakdown BVCEO. Untuk kerja yang normal, kita harus menjaga agar VCE lebih kecil dari BVCEO. IC



IB = 0



ICEO



VCE BVCEO



Gambar 9. Arus Cutoff dan Tegangan Break Down



e.



Tegangan saturasi kolektor Pada kerja normal suatu transistor, dioda kolektor harus dibias reverse. Hal ini memerlukan VCE yang lebih besar, tergantung pada besarnya arus kolektor yang mengalir. Pada kurva adalah harga VCE pada beberapa titik di bawah knee. Biasanya, VCE hanya beberapa perpuluhan volt, walaupun pada IC yang sangat besar bisa melebihi 1 V. Bagian dari kurva di bawah knee disebut daerah saturasi. IC IB VCE(sat



)



VCE Gambar 10. Kurva Tegangan Saturasi Kolektor



B. KARAKTERISTIK TRANSISTOR ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 36



Perhatikan rangkaian berikut! IC



Penjenuha n



Q IB > IB(sat) IB = IB(sat)



VCC/Rc



I B



Titik Sumbat



IB = 0 Vc c



VC E



Gambar 11. Karakteristik Transistor



1.



Garis beban dc Garis beban dc adalah garis yang menyatakan semua titik operasi yang mungkin dilakukan oleh sebuah transistor. Dalam rangkaian kolektor, VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC, maka: VCE = VCC - ICRC IC = - VCE + VCC RC RC Titik Q (titik operasi transistor) adalah perpotongan garis beban dc dengan arus basis IB



2.



Titik Sumbat (Cut Off) Titik Sumbat (Cut Off) adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva I B = 0. Pada titik ini dioda emiter kehilangan forward bias dan kerja normal transistor terhenti. VCE (cut off) = VCC



3.



Titik Jenuh (Saturation) Titik jenuh adalah perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = IB (sat). Pada titik ini dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja normal transistor terhenti., sehingga: IC (sat) = VCC RC IB (sat) = IC (sat) βdc VCE = VCE (sat)



4.



Daerah aktif Daerah aktif terletak pada semua titik antara titik sumbat dan titik jenuh.



C. RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 37



Sebuah transistor dapat bekerja dengan baik bila diberi tegangan secara benar. Cara pemberian tegangan yang banyak digunakan adalah: 1.



bias basis



2.



bias pembagi tegangan



Keterangan : 1.



Bias Basis Contoh bias basis, sebuah sumber tegangan VB membias forward melalui resistor yang membatasi arus IB. Sesuai Hukum Tegangan Kirchoff, maka tegangan dinyatakan dengan: VRB = VBB – VBE IB = VBB – VBE RB Dimana VBE = 0,7 untuk silikon dan 0,3 untuk germanium.



Contoh : Diketahui rangkaian seperti gambar berikut : RB = 390 kΩ RC = 1,5 kΩ βdc = 80 VCC = VBB = 30 V Tentukan garis beban dc dan titik Q! Penyelesaian : a.



VCE (cut off) = VCC = 30 V



b. c.



IC (sat) = VCC = 30 RC 1,5 kΩ



= 20 mA



Untuk menentukan titik Q, tentukan IB dulu IB = VBB – VBE = 30 – 0,7 = 75,1 μA RB 390 kΩ IC



Maka: IC = βdc x IB = 80 x 75,1 μA = 6 mA VCE = VCC – ICRC



20 mA



6 mA



Q



= 30 – 6 mA x 1,5 kΩ = 21 V 2.



Bias Pembagi Tegangan



ELKA-MR.UM.001.A



21 V



30 V



VCE



Halaman 38



Pembagi tegangan (Voltage Divider) berasal dari pembagi tegangan yang dibentuk oleh R1 dan R2. tegangan R1 membias forward dioda emiter, dan VCC membias reverse dioda kolektor. Arus basis kecil sekali bila dibandingkan dengan arus yang mengalir pada R1 dan R2. Contoh: Diketahui gambar rangkaian berikut: Tentukan garis beban dc dan titik Q!



Pada saat cut off, VCE (cut off) = VCC = 30 V Sedangkan, IC (sat) = VCC = 30 = 3,33 mA RC + RE 5k + 4k Tegangan pada R2 (VR2): VR2 =



R2 x VCC = 10k x 30V = 10V R1 + R 2 10k + 20k



IE



= VR2 – VBE = 10 – 0,7 = 1,86 mA RE 5k Karena αdc mendekati satu, maka IC = IE = 1,86 mA, IC



Sehingga, VCE = VCC – IC(RC + RE) = 30 – 1,86 mA (4k + 5k) = 13,3 V



3,33 mA 1,86 mA



Q



13,3 V



30 V



VCE



D. KONFIGURASI TRANSISTOR Konfigurasi transistor dapat diartikan sebagai pola atau susunan rangkaian transistor. Di dalam praktek dikenal ada tiga macam konfigurasi untuk sebuah transistor, yaitu: 1.



Konfigurasi Basis Bersama (Common Base/CB) Rangkaian Common Base yaitu Basis dipakai bersama oleh input dan output. Inputnya adalah Emitor – Basis.



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 39



Outputnya adalah Colector – Basis



Gambar 12. Common Base



Penguatan Arus AI = α α = IC IE



2.



Penguatan tegangan (Av) Penguatan Daya (AP) Av = Vo = - IC x Ro Vi IE x Ri Av ≈ α Ro Ri



AP = AI x AV



Konfigurasi Emitor Bersama (Common Emitor/CE) Rangkaian Common Emitor yaitu Emitor dipakai bersama oleh input dan output. Inputnya adalah Basis – Emitor Outputnya adalah Colector – Emitor



Gambar 13.



Penguat Arus AI = β



Penguat tegangan (Av) Penguat Daya (AP)



β = IC = IC . IB IE – IC β = IC = IC . IE – α IE IE (1 – α) 3.



Common Emitor



Av = β Ro Ri



AP = AI x AV AP = β2 Ro Ri



Konfigurasi Colector Bersama (Common Colector/CC) Rangkaian Common Colector yaitu Colector dipakai bersama oleh input dan output. Inputnya adalah Basis – Colector Outputnya adalah Emitor – Colector



Gambar 14. Common Colektor



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 40



Penguat Arus AI = γ



Penguat tegangan (Av)



Penguat Daya (AP)



Av = γ Ro Ri



AP = AI x AV AP = γ 2 Ro = (β + 1)2 Ro Ri Ri



γ = IE = IC + I B IB IB γ=β+1



E. TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT Transistor sebagai penguat dapat dirakit menurut Common Emitor, Common Base, dan Common Colector. Perhatikan gambar!



Gambar 15. Rangkaian Penguat Common Emitor



Penguatan Tegangan (AV) AV = VOUT = VCE = IC x RC atau AV = RC VIN VBE IB x rie re’ Penguatan Arus (AI) AI = IOUT = IC IIN IB Penguatan Daya (AP) AP = AV x AI = hfe x AV Impedansi input pada rangkaian diatas adalah: Zin = RB // rie Resistansi AC Dioda Emitor Untuk mengetahui lebih banyak mengenai re’ dapat kita lihat gambar dibawah ini:



Gambar 16. Resistansi Dioda



Nilai Rd untuk transistor germanium dan silikon adalah: ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 41



Rd (Ge) = 25 mV IE (dc)



Rd (Si) = 50 mV IE (dc)



F. DECIBEL Decibel (dB) erat kaitannya dengan penguatan tegangan maupun daya. Satu decibel adalah jika untuk penguatan itu dihitung 20 kali logaritma penguatan. Secara matematik dapat ditulis: AV’ = 20 log VOUT . VIN Untuk membedakan dengan penguatan biasa ditulis AV’ Perhatikan gambar berikut!



Gambar 17. Tegangan Puncak



Jika tegangan input mempunyai tegangan puncak (peak) 50 mV dan output mempunyai tegangan puncak 2 V, maka penguatan tegangannya adalah AV = 2V . = 40 -3 (50 x 10 ) V Harga penguatan itu tidak mempunyai satuan, sebab merupakan perbandingan dua buah tegangan. Dari gambar terlihat bahwa kedua tegangan itu berlawanan fasa. Untuk itu dalam menentukan penguatannya perlu diberi tanda negatif. AV = 2V . = -40 -3 (50 x 10 ) V Tanda negatif itu tidak membedakan terhadap tegangan bagi tegangan-tegangan yang sefasa. Dalam praktek biasanya dipergunakan penguatan tegangan dengan decibel. Contoh: Sebuah penguat transistor mempunyai tegangan puncak input 15 mV dan tegangan output 3 V, maka penguatannya dalam decibel adalah: AV = 20 log



3V . -3 (50 x 10 ) V



AV = 20 log 20 ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 42



AV = 20 x 2,3010 = 46,02 dB Penguatan daya dalam decibel dinyatakan sebagai AP’ = 10 log POUT . PIN Faktor perkalian untuk penguatan daya adalah 10. itu dapat dimengerti berdasarkan pemikiran bahwa: P = V x I = V x V = V2 R R



III.



EVALUASI A.



PILIHAN GANDA 1.



Prinsip kerja transistor adalah berdasarkan aliran pembawa mayoritas dan minoritas, artinya arus yang mengalir berupa... a. arus hole dan arus elektron b. arus hole dan arus ion-ion c. arus elektron dan arus neutron d. arus hole saja e. arus elektron saja



2.



Gna penguat adalah... a.



menyetabilkan tegangan



b.



menurunkan tegangan dan arus



c.



menaikkan arus, tegangan, dan daya



d.



memperbesar penguatan arus



e.



menyetabilkan arus



3.



Salah satu keuntungan transistor adalah... a.



perlu pemanasan sebelum beroperasi



b.



bekerja baik pada tegangan tinggi saja



c.



selalu memerlukan pemakaian arus yang besar



d.



tahan terhadap goncangan



e.



umurnya tidak bertahan lama



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 43



4.



Yang termasuk elektroda-elektroda yang terdapat pada sebuah transistor bipolar adalah... a.



kolektor,



basis,



d.



basis,



dan drain



anoda, dan emitor



b.



emitor, basis, dan



e.



emitor,



gate



basis, dan kolektor



c.



kolektor, emitor, dan anoda



5.



Gambar berikut ini adalah... a.



Simbol transistor NPN



b.



Simbol transistor PNP



c.



Simbol dioda



d.



Skema



pengganti



Skema



pengganti



transistor NPN e. transistor PNP 6.



Pernyataan yang benar tentang fungsi kaki-kaki transistor adalah... a.



Basis, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari transistor. b. Emitor, berfungsi sebagai pengatur atau mengemudikan gerakan-gerakan elektron dalam transistor. c. Basis, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor. d. Colector, berfungsi sebagai penarik atau penyalur elektron keluar dari transistor. e.



Colektor, berfungsi sebagai penghasil elektron dalam transistor.



7.



Polaritas tegangan pada transistor NPN adalah... a. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (+) b. Emitor (-), Basis (+), dan Kolektor (-) c. Emitor (+), Basis (+), dan Kolektor (-) d. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (-) e. Emitor (-), Basis (-), dan Kolektor (+)



8.



Tegangan yang diberikan antara dioda basis-kolektor adalah... a.



tegangan dc, VBC



d.



tegangan dc, VBE



b.



tegangan ac, VBC



e.



tegangan ac, VCE



c.



tegangan dc., VCE



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 44



9.



Yang menyebabkan dioda basis-kolektor menyumbat adalah karena diberi tegangan reverse. Tetapi kenyataannya arus kolektor (IC) tetap ada, sebab... a. VCB > VEB



d. VCB  VEB



b. VCB < VEB



e. VEB >> VCB



c. VCB = VEB



10.



Hubungan yang benar antara IC, IB, dan IE dibawah ini yang benar adalah, kecuali... a.



IC + I B = I E



d.



b.



IC = αdc x IE



e.



c.



IC = βdc x IB



11.



βdc = IC x IE αdc = IC IE



Transistor berasal dari kata “transfer dan resistor” artinya... a. Trafo dan resistor



d. perpindahan muatan



b. Resistor dan induktor



e. perpindahan perlawanan



c. Kapasitor dan resistor 12.



Pernyataan berikut yang benar mengenai karakteristik transistor adalah, kecuali... a.



Titik jenuh adalah perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = IB (sat)



b.



Garis beban dc adalah garis yang menyatakan semua titik operasi yang mungkin dilakukan oleh sebuah transistor



c.



Titik Sumbat (Cut Off) adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = 0



d.



Daerah aktif terletak pada semua titik antara titik sumbat dan titik jenuh



e.



Titik jenuh adalah titik perpotongan garis beban dc dengan kurva IB = 0



13.



Di dalam pembiasan transistor, αdc akan sama dengan 1 apabila... a. IC = IB



d. IC = 0



b. IB = IE



e. IE = 0



c. IE = IC 14.



Pola atau susunan rangkaian transistor disebut dengan.... a.



Pengert d. ian transistor



b.



urasi transistor



Karakt eristik transistor



c.



e. Pembia



san transistor



ELKA-MR.UM.001.A



Konfig



Pengua t transistor



Halaman 45



15.



Pemakaian basis secara bersama sebagai input dan output dinamakan rangkaian... a.



Comm d. on Emitor



b.



Bias



Comm on Collector



c.



e. Comm



Reverse Bias



on Base 16.



Forward



Rangkaian dibawah ini adalah konfigurasi transistor... a.



Comm on Emitor



b.



Comm on Collector



c.



Comm on Base



d.



Forwa rd Bias



e.



Revers e Bias



17.



Yang menjadi input rangkaian Common Emitor adalah.... a.



Emitor d. - Kolektor



b.



- Emitor Collec



tor - Base c.



Katoda



e.



Anoda base



Base Emitor



18.



Impedansi input (Zi) pada transistor adalah... a.



perbandingan antara tegangan input dan arus output



b.



perbandingan antara tegangan input dan arus output



c.



perbandingan antara arus input dan tegangan input



d.



perbandingan antara tegangan input dan arus input



e.



perkalian antara tegangan input dan arus input



19.



Impedansi output (Zo) pada transistor adalah... a.



perbandingan antara arus input dan tegangan input



b.



perbandingan antara tegangan output dan arus output



c.



perhitungan antara tegangan output dan arus output



d.



perkalian antara tegangan output dan arus output



e.



perkalian antara tegangan input dan arus input



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 46



20.



Yang dimaksud dengan penguat (Gain) adalah perbandingan antara arus, tegangan dan daya output terhadap... a.



arus, tegangan, dan daya input



b.



arus, tegangan, dan impedansi input



c.



tegangan dan impedansi input saja



d.



arus, tahanan, dan daya input



e.



impedansi dan tegangan output



B.



URAIAN 1. Jelaskanlah pengertian transistor bipolar! 2. Gambarkanlah simbol dan skema kedua jenis transistor bipolar! 3. Sebutkanlah beberapa fungsi dari transistor! 4. Jelaskanlah proses pembiasan pada sebuah transistor! 5. Jelaskanlah dengan rumus, hubungan antara αdc dengan βdc! 6. Jelaskanlah pengertian garis beban dc, titik sumbat (Cut Off), dan titik saturasi! 7. Jelaskanlah maksud dari bias pembagi tegangan pada pembiasan transistor! 8. Jelaskanlah perbedaan Konfigurasi Common Base dengan Konfigurasi Common Emitor! 9.



Transistor 2N 3904 mempunyai βdc = 100, dengan bahan silikon. Berapa besar tegangan pada terminal kolektor emitor (VCE)?



10.



Dari gambar rangkaian dibawah ini, jika diketahui βdc = 1, tentukanlah garis beban dc dan titik kerja transistor tersebut



II.



DAFTAR PUSTAKA Hasan, Esan. 1990. Rangkaian Elektronika Dasar. Bandung: Ganeca Exact. Kusnandar, Ahmad, dkk. 2001. Penerapan Konsep Dasar Listrik dan Elektronika. Bandung: CV. Armico Loveday, George. 1992. Intisari Elektronika. Jakarta: Elex Media Komputindo. Malvino, Albert. 1996. Prinsip-Prinsip Elektronika Jilid 2. Jakarta: Erlangga.



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 47



www.electroniclab.com



ELKA-MR.UM.001.A



Halaman 48