FIX Jurnal 1-3 [PDF]

Citation preview

LANORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I S1 Fisika



KARAKTERISTIK TRANSISTOR DAN PENGUAT COMMON EMITER



Disusun oleh : NAMA



: MUHAMMAD MAULANA POHAN



NIM



: 200801043



KELOMPOK



: VI



GELOMBANG : A ASISTEN



:IRFAN SYAHPUTRA



LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS SUMATERA UTARA



LABORATORIUM ELEKTRONIKA BAB I Pendahuluan I.I Latar Belakang Walter H. bratain dan John Barden pada akhir desember 1947 di bell telephone laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang memepunyai sifat menguatkan yaitu yang disebut dengan transistor. Dimana transistor merupakan komponen elektronika yang befungsi sebagai pengut arus, stabilisaai, penyaklaran dan lain-lain. Dalam adaptor transistor berfungsi sebagai stabilizer, untuk penyetabil arus yang keluar dari blok filter. Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan pendahulunya yakni tabung hampa, adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan. Bahkan dengan tekonologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu keeping silikon (Arafh dan Ikhfan, 2012). Kita belum mengetahui bagaimana cara kerja rangkaian bias transistor common emitter, bagaimana cara membuat grafik cirri keluaran transistor serta bagaimana cara menetukan besar penguatan transistor pada rangkaian common emitter. Common emitter (CE) atau emitor bersama merupakan hubungan transistor yang paling sering digunakan, terutama pada penguat yang membutuhkan penguatan tegangan dan arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan hubungan transistor dengan common emitter ini menghasilkan penguatan tegangan dan arus antara sinyal input dan sinyal output. Common emitter adalah hubungan transistor dimana kaki emitor transistor di-ground-kan dan dipergunakan bersama untuk input dan output. Pada hubungan common emitter ini, sinyal input dimasukan ke basis dan sinyal output-nya diperoleh dari kaki kolektor. I.2 Tujuan Percobaan 1. Untuk mengetahui prinsip kerja transistor pada penguat 2. Untuk mengetahui penguatan transistor 3. Untuk mengetahui karakteristik penguat common emitter 4. Untuk mengetahui prinsip kerja penguat common emitter



LABORATORIUM ELEKTRONIKA BAB II Pembahasan Karakteristik Amplifer Pekerjaan ekstensif pada amplifier optik dilakukan pada tahun 1960-an dengan menggunakan sistem material AlGaAs. Sebagian besar pekerjaan percobaan barubaru ini pada penguat optik semikonduktor telah dilakukan dengan menggunakan sistem bahan InGaAsP dengan penguatan optik terpusat sekitar 1,3 μm atau 1,55 μm. Ini terutama karena potensi penggunaannya di semua jaringan optik. SAO dapat diklasifikasikan menjadi dua kategori, penguat Fabry Perot (FP) dan penguat gelombang perjalanan (TW). Penguat FP memiliki reflektifitas yang cukup besar pada ujung input dan output yang menghasilkan amplifikasi epitaxial pada mode Fabry Perot. Jadi, penguat FP Cxmemiliki penguatan optik yang sangat besar pada panjang gelombang yang sesuai dengan mode longitudinal rongga dan penguatannya kecil di antara mode rongga. Modulasi penguatan ini tidak diinginkan jika penguat digunakan dalam jaringan optik. Penguat TW, sebaliknya, memiliki reflektifitas yang dapat diabaikan di setiap ujung yang menghasilkan penguatan sinyal selama satu lintasan. Spektrum penguatan optik dari penguat TW cukup luas dan sesuai dengan media penguatan semikonduktor, Kebanyakan penguat TW yang praktis menunjukkan beberapa riak kecil dalam spektrum penguatan yang muncul dari reflektifitas segi sisa. Amplifier TW lebih cocok untuk aplikasi sistem. Output menunjukkan modulasi pada mode longitudinal rongga karena penguatan optik sedikit lebih tinggi pada mode daripada di antara mode. Baik mode dasar TE (transversal listrik) dan TM (magnetik transversal) dapat merambat dalam penguat TW. Mode ini memiliki indeks efektif yang sedikit berbeda karena faktor pembatas yang sedikit berbeda dan karenanya diperlukan lapisan antipantul yang tepat untuk mode ini.



LABORATORIUM ELEKTRONIKA



Jadi modulasi sisa dalam mode TE dan penguatan TM dalam penguat TW karena reflektifitas segi bukan nol dipindahkan secara spektral. Masalah ini sangat berkurang untuk amplifier dengan wilayah aktif yang tebal. Untuk bidang gelombang, tebal seperempat gelombang (ketebalan = Ao / 4n dimana n adalah indeks dari lapisan dielektrik) lapisan tunggal lapis diklektrik dengan indeks n = nm1/2 dimana nm adalah indeks bahan semikonduktor sudah cukup untuk membuat sempurna (Reflektifitas nol) lapisan antirefleksi.



Gelombang yang merambat



dalam penguat bukanlah gelombang bidang dan oleh karena itu di atas hanya berfungsi sebagai perkiraan. Untuk modulasi penguatan rendah (juga dikenal sebagai riak penguatan) pantulan faset penguat TW harus menjadi