![Contoh Pengukuran EOS Dan ESD [PDF]](https://pdfs.asia/img/200x200/contoh-pengukuran-eos-dan-esd.jpg)
5 0 2 MB
86
ANALISIS PENGARUH EOS DAN ESD TERHADAP KERUSAKAN KOMPONEN ELEKTRONIK SEMIKONDUKTOR UNTUK MENINGKATKAN KUALITAS PRODUKSI PT. SAMSUNG ELECTRONICS INDONESIA (SIEN) Yudha Witanto, Muhammad Ilyas Sikki, Sri Marini Program Studi Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Islam 45 Bekasi Jl.Cut Meutia No. 83 17113 Telp : 021-88344436, 021-8802015 Ext. 124 Email : [email protected]
ABSTRAK Kerusakan komponen elektronik semikonduktor pada PT. Samsung Electronics disebabkan oleh material NG (No Good) dengan kerusakan sebesar 1869 ppm atau 69% dari defek keseluruhan berdasarkan data kualitas Januari sampai dengan Desember tahun 2013. Untuk melakukan perbaikan komponen elektronik semikonduktor tersebut, dilakukan analisa EOS dan ESD dengan mengarahkan pada 16 point electrostatic spec dari Global Production Technology Center. Kegiatan analisis ini dilakukan pada bulan Mei sampai dengan September 2014. Pada produksi SMD, PBA, Main Line STB dan TVHV ditemukan permasalahan sebanyak 24 Point dimana pada masalah EOS sebanyak 10 point dan ESD sebanyak 14 Point yang tidak sesuai dengan spec yang ada. Dari permasalahan tersebut, dilakukan perbaikan-perbaikan dengan tujuan data kualitas mengenai masalah komponen elektronik semikonduktor dapat dikurangi sebelumnya 1869 ppm pada tahun 2013 menjadi 441 ppm pada bulan September sampai dengan Desember 2014. Kata kunci : EOS , ESD, Electrostatis, Semikonduktor, Wristrap
ABSTRACT Semiconductor electronic components damaged, in PT. Samsung Electronics was caused by NG (No Good) material which is 1869 ppm or 69% of the total defect based on the data quality of January to December 2013. Making improvements the semiconductor electronic components, EOS and ESD analysis was held by pointing to the 16-point electrostatic spec of Global Production Technology Center. The analytical work carried out between May and September 2014 in the production of SMD, PBA, Main Line STB and TVHV, and found the problem as much as 24-point which for existing EOS 10-point problem for and ESD 14-point which not compliance with existing spec. Based on The problem, improvements has been carried out for the quality data on the issue of semiconductor electronic components damaged could be reduced from 1869 ppm in 2013 became 441 ppm in September until December 2014. Keywords: EOS, ESD, Electrostatic, Semiconductor, Wristrap
PENDAHULUAN Saat ini kondisi kerusakkan material elektronik semikonduktor, di PT. Samsung Electronics sekitar 1869 ppm atau 69% dari total defect yang ada disebabkan oleh material NG ( No Good ) pengaruh EOS JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
87
(Electrical Over Stress) dan ESD dengan Desember tahun 2013.
( Electro Static Discharge ). Data kualitas pada Januari sampai
Keterangan : ppm (parts-per-million, 10–6 ) Gambar 1.Data kualitas produksi Januari – Desember 2013
Gambar 2. Presentasi kualitas produksi Januari – Desember 2013
Untuk mengontrol proses EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge) dari Global Production technology center di Korea memberikan arahan mengenai EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) serta 16 point pengecheckkan yang harus di lakukan pengawasan secara harian, mingguan maupun bulanan pada proses produksi baik SMD, PBA, serta Main Line. Adapun 16 point dapat kita lihat pada tabel. 1, sebagai berikut : Tabel 1. Daftar Pemeriksaan EOS dan ESD
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
88
Dari 16 point pemeriksaan tersebut, kami melakukan analisis pengukuran di SMD, PBA, Main Line STB dan TVHV pada tanggal 26 Mei 2014 dan kami menemukan 6 point pemeriksaan yang tidak sesuai dengan spec yang ada, yang mana untuk EOS ( Electrical Over Stress ) terdapat 5 point dan ESD ( Electro Static Discharge ) 1 point yang harus dilakukan perbaikan. Adapun laporan mengenai hasil pengukuran tersebut dapat kita lihat pada table 2 sebagai berikut
Tabel 2. Hasil Analisis Pengukuran EOS dan ESD
Berdasarkan dari latar belakang di atas maka dapat di rumuskan masalah sebagai berikut : 1. Bagaimana pengaruh EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) terhadap kerusakkan komponen elektronik semikonduktor IC yang ada ? 2. Bagaimana mengoptimalkan implementasi EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) diarea proses produksi supaya menghindari problem kerusakkan komponen elektronik semikonduktor yang ada ? Batasan masalah yang digunakan dalam penelitian ini adalah, 1. Analisis dilakukan pada proses produksi SMD, PBA, Main Line STB dan TVHV pada EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ). 2. Perbaikan pada produksi SMD, PBA, Main line STB dan TVHV serta peningkatan system pengawasan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) agar masalah kerusakkan material yang diakibatkan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) bisa berkurang. Tujuan Penelitian Tujuan yang hendak dicapai dalam penelitian ini adalah sebagai berikut : 1. Memperbaiki kerusakkan komponen elektronik semikonduktor IC dari EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ). 2. Menghindarkan pengaruh EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) pada produksi SMD, PBA, Main Line STB dan TVHV yang ada di PT. Samsung Electronics Indonesia, sehingga dapat meningkatkan kualitas produksi. JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
89
Adapun manfaat dari Analisis Implementasi EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) ini adalah : 1. Mengetahui pengaruh EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) didalam proses kerja produksi SMD, PBA, Main Line STB dan TVHV untuk meningkatkan kualitas produksi. 2. Rujukan perbaikan problem material NG ( Not Good ) komponen elektronik semikonduktor, yang diakibatkan permasalahan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) pada pabrik elektronika.
METODOLOGI PENELITIAN Objek Penelitian Objek penelitian dilakukan pada area produksi SMD, PBA, Main line STB dan TVHV. Dengan melakukan analisis EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) yang mana dapat dijelaskan sebagai berikut : EOS ( Electrical Over Stress ) Biasa disebut tegangan kejut, tegangan ini muncul dari body atau box suatu perangkat elektronik atau jalur power listrik, misalnya Solder iron, heater,oscilloscope, mesin line, conveyor, mesin potong, dll.
Gambar 3. Contoh peralatan yang mengunakan power listrik ESD ( Electro Static Discharge ) Loncatan muatan listrik statik dari suatu objek ke objek yang mempunyai benda potensial listrik, umumnya terjadi antara konduktor dengan konduktor, seperti belt conveyor, pin set, kursi kerja, karpet lantai, karpet meja, tempat simpan komponen,dll, yang mana ESD ( Electro Static Discharge ), tidak melalui jalur power listrik.
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
90
Gambar 4. Contoh peralatan yang tidak mengunakan power listrik EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) akan difokuskan pada 16 titik pemeriksaan, untuk membuktikan kesesuaian dengan standar yang sudah ditetapkan. Tabel 3. Daftar kontrol EOS dan ESD
Alat dan Bahan penelitian Alat yang dibutuhkan untuk penelitian ini adalah sebagai berikut : 1. Alat pengetesan wristrap digunakan untuk mengetahui apakah kondisi kabel wristrap resistansinya masih berfungsi baik atau tidak. ini dapat dilihat pada spesifikasi dan gambar sebagai berikut:
Gambar 5. Alat Ukur Wristrap HAKKO 498 JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
91
[http://www.icmaster.com.hk/PDF/hakko_498.pdf] ( 4 Oktober 2014 ) Tabel 4. Spesifikasi Alat Ukur Wristrap [http://www.icmaster.com.hk/PDF/hakko_498.pdf] ( 4 Oktober 2014 ) Model No. 498 Power supply LOW ( Red ) GOOD ( Green ) HIGH ( Red ) Battery life Grounding Operating environment Dimensions Weight
006P 9V dry battery R9MΩ Approximately 50,000times wire 2.5m 0-40ºC, 20-90%RH (without condensation) 80(W)×40(H)×117(D)mm 150g
2. Multitester digunakan untuk mengetahui apakah Terdapat tegangan Melebihi AC ada area titik pengukuran. Adapun spesifikasi dan gambar sebagai berikut:
Gambar 6. Multester Fluke Digital 112 [http://www.tequipment.net/FlukeDigital112Multimeter.html] ( 4 Oktober 2014 ) Tabel 5. Spesifikasi Multester Fluke Digital 112 [http://assets.fluke.com/manuals/11x_____umeng0200.pdf] ( 4 Oktober 2014 )
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
dari 5 Volt
92
3. Surface resistance tester digunakan mengukur ketahanan point-to-point (rtt), mengukur permukaan ke tanah dan resististan permukaan material.Adapun spesifikasi dan gambar sebagai berikut:
Gambar 7. Surface resistance tester MODEL: SRT557 [http://www.esdsurfaceresistancemeter.com] ( 4 Oktober 2014 ) Tabel 6. Spesifikasi Surface resistance tester MODEL: SRT557 Spesifikasi • Resistance measuring accuracy • Resistance range • Under load voltages • Electrification period • Electrodes (two)
Result ± 10% (E11 & greater ±20%) 10E12 ohms 10 and 100 volts ± 5% 15 seconds 5
4. Electrostatic Field Meter digunakan mengukur polaritas dan intensitas Listrik statis pada permukaan materian dan keseimbangan Ionizer mesin. Adapun spesifikasi dan gambar sebagai berikut:
Gambar 8. Electrostatic Field Meter STAT·CLEAN EYE-01 [http://www.no-stat.com/index,11,EYE-01.html] ( 4 Oktober 2014 ) Tabel 7. Spesifikasi Electrostatic Field Meter STAT·CLEAN EYE-01 [http://www.no-stat.com/index,11,EYE-01.html] ( 4 Oktober 2014 )
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
93
Measuring range
Static voltage
± 0 ~ ± 1.49 kV (Low range)
measuring range
± 1.0 ~ ± 20.0 kV (High range)
Ion balance voltage measuring 0 ~ ± 200 V range Measuring distance
25 mm ± 0.5 (between charged object and field meter)
Accuracy
±10%
Ambient conditions
10°C ~ 40 °C, 680%RH or lower
Display
Large LCD display (Digital and bar graph)
Power
9V, 6F22Y manganese battery: 1PCE (Life: Approx. 30hours)
Weight with battery
Approx. 140g without ion balance plate (Ion balance plate : Approx. 30g)
Case material
Conductive resin (ABS) Charge plate for ion balance measurement :1PCE Ground cord : 1PCE (w/ alligator clip) Battery : 1PCE (006P)
Accessories
Soft case : 1PCE Ground cord : 1PCE (w/ alligator clip) Battery : 1PCE (006P) Soft case : 1PCE
Prosedur Penelitian Prosedur pengukuran dan perbaikan EOS ( Electrical Over Stress ) Penelitian EOS ( Electrical Over Stress ) ini dilakukan untuk mengetahui apakah kondisi area produksi terjadi timbul tegangan yang akan membuat efek kerusakkan pada komponen elektronika IC. Untuk prosedur dalam penelitian EOS ( Electrical Over Stress ) dapat dijelaskan dalam flowchart sebagai berikut :
Gambar 9. Flowchart proses penelitian EOS ( Electrical Over Stress ) JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
94
Keterangan : 1. Penentuan jalur EOS ( Electrical Over Stress ) Penentuan jalur EOS ( Electrical Over Stress ) merupakan kegiatan awal dalam menetapkan posisi yang akan dilakukan pengukuran pada lokasi yang mana terdapat material elektronik semikonduktor yang ada diarea produksi. 2. Membuat label jalur lokasi Pada tahap ini dilakukan penandaan pada jalur yang sudah ditentukan dengan pembuatan label pada jalur lokasi yang akan dilakukan pengukuran. 3. Menghitung tegangan dengan standar EOS ( Electrical Over Stress ) Pada tahap ini akan dilakukan penetapan nilai pengukuran yang disesuaikan dengan standar EOS ( Electrical Over Stress ). 4. Nilai tegangan < 2, 5 volt Nilai tegangan < 2, 5 volt adalah penetapan standar nilai EOS ( Electrical Over Stress ) yang muncul pada jalur EOS saat dilakukan pengukuran, bila nilai tersebut melebihi dari nilai standar kita harus melakukan perbaikan. 5. Perbaikan Perbaikan adalah proses untuk memastikan nilai jalur tersebut tidak melebihi nilai standar yang ada. Perbaikan dilakukan dengan membuat jalur grounding pada lokasi terjadinya EOS ( Electrical Over Stress ) melebihi nilai. Prosedur pengukuran dan perbaikan ESD ( Electro Static Discharge ). Penelitian ESD ( Electro Static Discharge ) ini dilakukan untuk mengetahui apakah kondisi area produksi terjadi timbul tegangan yang akan membuat efek kerusakkan pada komponen elektronika IC. Untuk prosedur dalam penelitian ESD ( Electro Static Discharge ) dapat dijelaskan dalam flowchart sebagai berikut :
Gambar 10. Flowchart proses penelitian ESD ( Electro Static Discharge )
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
95
Keterangan : 1. Penentuan jalur ESD ( Electro Static Discharge ) Penentuan jalur ESD ( Electro Static Discharge ) merupakan kegiatan awal dalam menetapkan posisi yang akan dilakukan pengukuran pada lokasi yang mana terdapat material elektronik semikonduktor yang ada diarea produksi. 2. Membuat label jalur lokasi Pada tahap ini dilakukan penandaan pada jalur yang sudah ditentukan dengan pembuatan label pada jalur lokasi yang akan dilakukan pengukuran. 3. Menghitung tegangan dengan standar ESD ( Electro Static Discharge ) Pada tahap ini akan dilakukan penetapan nilai pengukuran yang disesuaikan dengan standar ESD ( Electro Static Discharge ). 4. Nilai tegangan < 50, 200 volt Nilai tegangan < 50,200 volt adalah penetapan standar nilai ESD ( Electro Static Discharge ) yang muncul pada jalur ESD saat dilakukan pengukuran, bila nilai tersebut melebihi dari nilai tersebut kita harus melakukan perbaikan. 5. Perbaikan Perbaikan adalah proses untuk memastikan nilai jalur tersebut tidak melebihi nilai standar , beberapa perbaikan yang dilakukan untuk mengurangi nilai yang ada dengan menganti bahan yang bermasalah atau melapisi dengan bahan tidak berbahaya terhadap ESD ( Electro Static Discharge ). ANALISA DAN PEMBAHASAN Analisa Analisa dilakukan pada area produksi SMD, PBA, Main line STB dan TVHV. Dengan melakukan analisis pada area yang terjadi kontak langsung dengan proses pembuatan komponen elektronika yang mengunakan komponen semikonduktor IC, serta dilakukan pada 16 titik pemerikasaan, sebagai dasar acuan untuk mendapatkan hasil keseseuaian pada proses produksi dengan standar yang ada, berikut 16 titik pemeriksaan ditunjukkan pada table 8. Tabel 8. Daftar 16 titik pemeriksaan pada proses produksi
Pelaksanaan analisa dan perbaikan dilakukan pada bulan Mei sampai pada bulan September 2014 sebanyak 24 titik perbaikan.
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
96
Pembahasan Dari analisa yang sudah dilakukan untuk melihat kondisi proses pengontrolan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) di proses produksi SMD, PBA dan Main Line kita menemukan beberapa point yang tidak sesuai standar yang telah ditetapkan. Dari Temuan-temuan tersebut penulis informasikan kepada bagian terkait untuk ditindak lanjuti untuk dilakukan perbaikan disesuaikan dengan standard yang sudah ditetapkan. Adapun perbaikan-perbaikan yang sudah dilakukan dari permasalahan tersebut : 1. Melakukan pemasangan dan perbaikan ground pada produksi area.
Gambar 11. Proses pemasangan dan perbaikan ground pada area produksi SMD, PBA dan Main Line. 2. Modifikasi mesin dengan penambahan ground pada jalur PCB.
Gambar 12. Modifikasi mesin dengan penambahan ground pada jalur PCB 3. Menghindari penggunaan material yang memiliki ESD ( Electro Static Discharge ) yang tinggi serta pelapisan bahan bahan yang baik ESDnya.
Gambar 13. Pelapisan bahan bahan untuk ESD Tabel 9. Hasil perbaikan pengukuran EOS pada area Produksi Total perbaikan EOS : 10 titik perbaikan.
Tabel 10. Hasil perbaikan analisa ESD pada area Produksi Total perbaikan ESD : 14 titik perbaikan. JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
97
Check Point
(Spec )
1. Machine ground check (Ground resistance) : Parallel 2. Wrist Strap Checker
10Ω↓
SMD 9Ω
Problem pada Mei 2014 PBA ML STB ML TVAV 6Ω
5Ω
8Ω
SMD 9Ω
Problem pada Mei 2014 PBA ML STB 6Ω
5Ω
ML TVAV 8Ω
OK / NG
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
1㏁
0.7 ㏁
0.8 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
0.8 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
4. SMD insert process ESD CHECK ( Raw Material )
50V ↓
230V
-
-
-
10V
-
-
-
5. PBA Line insert process ESD CHECK ( PCB Assembly )
200V ↓
-
-
-
-
-
-
-
-
Check Point
(Spec )
3. Table MAT resistance check
1. Machine ground check (Ground resistance) : Parallel 2. Wrist Strap Checker
SMD
Problem pada Sep 2014 PBA ML STB ML TVAV
10Ω↓
~
~
5Ω
OK / NG
OK
OK
1㏁
0.7 ㏁
50V ↓
3. Table MAT resistance check 4. SMD insert process ESD CHECK ( Raw Material ) 5. PBA Line insert process ESD CHECK ( PCB Assembly )
200V ↓
SMD
Perbaikan problem Sep 2014 PBA ML STB ML
9Ω
6Ω
5Ω
OK
~ ~
OK
OK
OK
OK
0.8 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
0.8 ㏁
0.7 ㏁
0.7 ㏁
120V
-
1200V
-
0.00V
-
0.00V
-
320V
-
140V
-
0.00V
-
0.00V
-
8Ω
-
-
-
4700V
-
-
-
10V
970V
430V
-
0.47V
-
-
-
-
0.00V 0.00V
0.00V
-
390V 740V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tabel 11. Hasil perbaikan analisa September 2014 EOS pada area Produksi No
Dept
1 SMD
2
3
PBA
4
MAIN LINE [ STB ]
5
MAIN LINE [ TVHV ]
6
SMD
7 PBA
8
Problem
Solusi atau Perbaikan
Over pengukuran EOS pada mesin ac screen printer Spec : Maximum 5 Volt Actual : 64.3 Volt
Perbaikan kipas pada mesin ac screen printer Spec : Maximum 5 Volt Actual : 0.44 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada Heater repairman Spec : Maximum 2 Volt Actual : 5.8 Volt
Perbaikan perkabelan pada Heater repairman Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.077 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada Analyze Tools Spec : Maximum 2 Volt Actual : 16.28 Volt
Penambahan ground kipas pada Analyze Tools Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.018 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada Screw Feeder Spec : Maximum 2 Volt Actual : 41.40 Volt
Perbaikan kabel ground Screw Feeder Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.85Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada Screw Driver Spec : Maximum 2 Volt Actual : 19.4 Volt
Perbaikan kabel ground Screw Driver Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.30 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada mesin kalibrasi feeder komponen Spec : Maximum 2 Volt Actual : 46.08 Volt
Penambahan jalur ground pada mesin kalibrasi feeder komponen Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.13 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada mesin Ionizer Spec : Maximum 5 Volt Actual : 14.09 Volt
Penambahan jalur ground pada mesin Ionizer Spec : Maximum 5 Volt Actual : 0.25 Volt ( Safety )
Over pengukuran EOS pada JIG Heatsink Spec : Maximum 5 Volt Actual : 17.77 Volt
Penambahan jalur ground pada JIG Heatsink Spec : Maximum 5 Volt Actual : 0.47 Volt ( Safety )
9
MAIN LINE [ STB ]
Over pengukuran EOS pada Feeder Screw Spec : Maximum 5 Volt Actual : 6.23 Volt
Penambahan jalur ground pada Feeder Screw Spec : Maximum 5 Volt Actual : 0.29 Volt ( Safety )
10
MAIN LINE [ TVHV ]
Over pengukuran EOS pada Heater Repairman Spec : Maximum 2 Volt Actual : 5.63 Volt
Penambahan jalur ground pada Heater Repairman Spec : Maximum 2 Volt Actual : 0.49 Volt ( Safety )
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
Photo
98
Tabel 12. Hasil perbaikan analisa September 2014 ESD pada area Produksi
Dari perbaikan-perbaikan yang sudah dilakukan pada departemen produksi SMD, PBA dan Main Line, penulis pun memberikan perbaikan sistem yang ada agar permasalahan dari EOS dan ESD dapat kita jaga lebih baik. Adapun beberapa sistem yang kami buat : 1. Membuat penanggung jawab masing-masing departemen, yang mana sebelumnya dilakukan oleh satu orang menjadi tanggung jawab masing-masing departemen dan dicontrol oleh departemen Engineering.
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
99
Gambar 14. Penanggung jawab EOS dan ESD di SEIN
2. Membuat Training EOS dan ESD pada masing-masing departemen agar dapat meningkatkan pemahaman kepada seluruh karyawan.
Gambar 15. Aktivitas training EOS dan ESD seluruh operator dan staft serta leader. 3. Melakukan audit harian oleh dapartmen SMD, PBA dan Main line serta audit bulanan oleh department inovasi.
Gambar 16. Aktivitas Audit EOS dan ESD pada area produksi 4. Data sebelum dan sesudah perbaikan EOS dan ESD yang sudah penurunan sampai 76% hal ini sangat signifikan. Data tahun 2013 dan tahun 2014.
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
dilakukan,
menunjukan
100
Gambar 17. Grafik kualitas sebelum dan sesuah perbaikan EOS dan ESD Tabel 13. Data sebelum dan sesudah perbaikan EOS dan ESD
Keterangan : PPM ( Parts-per-million, 10-6 ) SIMPULAN Dari hasil penelitian yang telah dilakukan maka dapat diambil kesimpulan antara lain : 1. Dari penelitian yang kami lakukan pada area produksi SMD, PBA, Main mengenai EOS ( Electrical Over Stress ) dan ( Electro Static Discharge ) yang berefek terhadap kerusakkan komponen, setelah hasil kegiatan perbaikan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) ini dari data kualitas sebelum perbaikan dan sesudah mengalami penurunan yangsangat signifikan, data awal 1869 PPM setelah perbaikan turun menjadi 441 PPM. 2. Untuk mengoptimalkan implementasi EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ESD ( Electro Static Discharge ) yang ada diarea produksi, untuk menurunkan tegangan EOS ( Electrical Over Stress ) menjadi dibawah 2 s/d 5 volt sesuai dengan standar keamanan komponen elektronika perlu membuat ground pada mesin atau instrument alat ukur dengan baik, dan untuk mengurangi pengaruh dari ESD ( Electro Static Discharge ) kita perlu memperhatikan bahan atau material yang digunakan di proses-produksi yang tidak mengandung ESD ( Electro Static Discharge ) serta sesuai standar yang ditentukan.
SARAN Untuk mencegah kerusakkan komponen elektronika semikonduktor IC maka perlu dilakukan perbaikan antara lain : 1. Perlu dilakukan lagi yang lebih detail pemeriksaan semua lokasi area produksi baik SMD, PBA dan Main Line karena dengan cara tersebut dapat mengetahui aktual permasalahan terutama lokasi yang terjadi kontak langsung dengan komponen elektronika tersebut. JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
101
2. Perlu dibuat regulasi pengawasan internal audit oleh Departemen SMD, PBA dan Main Line agar adanya jaminan mengenai tidak ada masalah dari EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) tersebut. 3. Pembuatan materi pendidikan EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) serta terus dilakukan training kepada seluruh karyawan agar EOS ( Electrical Over Stress ) dan ESD ( Electro Static Discharge ) menjadi hal yang tidak asing, sehingga seluruh departemen tersebut dapat menjaga bersama-sama.
DAFTAR PUSTAKA Atkinson, Paul. 2004. Input/ Output (I/O) Pin Driver on Freescale Semiconductor
HCS12
Familiy
MCUs.
Chen,Tung., and Ker,M.2013.” ESD and EOS Impacts during Module Assembly Processfor Display Panel”, Nasional Chiao-Tung University. Cline, Roger., and Dep, Tom. 2014. Electrostatic Discharge (ESD). Texas Instruments Incorporated. Edminister, Joseph. 2002. Electromagnetika.Jakarta:Erlangga Giancoli,DC.2001. Fisika Jilid 2 Edisi Kelima. Jakarta:Erlangga Global Production Technology Center. 2013.EOS/ ESD Training Course. Samsung Electronics. H.Hayt, JR, William.1981. Elektromagnetik Teknologi. Jakarta : Erlangga Kertiasih,Ni Ketut. ISSN 1907-2006. Seminar Internasional. Universitas Pendidikan Ganesha. PEDC. 1984. Pemeliharaan Dan Perbaikan. Bandung: Departemen Pendidikan Dan Kebudayaan Direktorat Jendral Pendidikan Tinggi. Tirtamiharta, Samuel H.1996. Elektronika digital. Yogyakarta : Andi Subagyo, P.Joko., 2011. Methode penelitian dalam teori dan prakt ik. Jakarta: Rineka Cipta Kraz,Vladimir.,”Origins of EOS in Manufac- turing Envirotment and Its Classofi-cation”.3M Company. Electrostatic Field Mester STAT CLEAN EYE- 01[http://www .no-stat. com/idex, 11 , EYE01.html ] ( 4 Oktober 2014 ) Multitester Fluke Digital 112 [http://www.Tequipment.net/FlukeDigital112 Multimeter.httml ] ( 4 Oktober 2014 ) Surface resistance tester MODEL: SRT557 [http://www.esdsurfaceresistancemeter.com] Multimeter.httml ] ( 4 Oktober 2014 ) Wristrap HAKKO 498 [ http://icmaster.com.hk/PDF/Hakko_498.pdf] (4 Oktober 2014 )
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
102
JREC Journal of Electrical and Electronics Vol 3. No.1
